SDRAM的 预充电（Precharge）和 刷新（Refresh）

预充电（Precharge）

由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。

预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2，以帮助判断读取数据的逻辑电平，因为S-AMP是通过一个参考电压与存储体位线电压的比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而言，就是将S-AMP中的数据回写，存储电容会受到干扰，所以也需要S-AMP进行读后重写。此时，电容的电量（或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻辑0，不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压（即1/2电容电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。

1、关闭所有行（rowline）

2、所有的列（bitline）接 1/2Vcc 源，被充（放）电至 1/2Vcc 。这个动作称为 precharge。

3、经过足够长的时间后，所有的 bitline 和 1/2Vcc 源断开。Precharge 结束。此时每一个的 bitline 都可看作一个电容，电容的电压为 1/2Vcc。

4、打开某一行。假设打开的是第 1 行，则第 1、3、5…所有奇数列和第 1 行的所有位电容相连接，位电容对奇数列的电容充电或放电，使得奇数列的电压偏离 1/2Vcc（或高或低，根据存储的数据是 1 或 0 来决定）,这个电压再和偶数列的 1/2Vcc 去比较。

5．这个时候，sense am